TSM85N10CZ C0G
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- 制造商编号：
- TSM85N10CZ C0G
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CHANNEL 100V 81A TO220
- 渠道：
- digikey
库存 ：882
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥24.341366 | ￥24.34 |
| 10 | ￥21.882518 | ￥218.83 |
| 25 | ￥20.649386 | ￥516.23 |
| 100 | ￥16.106077 | ￥1610.61 |
| 250 | ￥15.693138 | ￥3923.28 |
| 500 | ￥13.628447 | ￥6814.22 |
| 1000 | ￥11.563508 | ￥11563.51 |
| 2500 | ￥11.398308 | ￥28495.77 |
| 5000 | ￥10.572308 | ￥52861.54 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
TSM85N10CZ C0G
制造商
Taiwan Semiconductor(台湾集成电路制造)
商品描述
MOSFET N-CHANNEL 100V 81A TO220
包装
Tube
系列
-
零件状态
Not For New Designs
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
81A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
10mOhm @ 40A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
154nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
3900pF @ 30V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
210W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
TO-220
封装/外壳
TO-220-3
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注
TSM85N10CZ C0G品牌厂家：Taiwan Semiconductor
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、TSM85N10CZ C0G
数据手册PDF。
TSM85N10CZ C0G
型号：TSM85N10CZ C0G
品牌：Taiwan Semiconductor
供货：锐单
库存：882 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥24.341366 |
| 10+： | ￥21.882518 |
| 25+： | ￥20.649386 |
| 100+： | ￥16.106077 |
| 250+： | ￥15.693138 |
| 500+： | ￥13.628447 |
| 1000+： | ￥11.563508 |
| 2500+： | ￥11.398308 |
| 5000+： | ￥10.572308 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥24.34