
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥28.050884 | ¥28.05 |
| 10 | ¥25.160793 | ¥251.61 |
| 25 | ¥23.732749 | ¥593.32 |
| 100 | ¥18.509334 | ¥1850.93 |
| 250 | ¥18.034736 | ¥4508.68 |
| 500 | ¥15.661744 | ¥7830.87 |
| 1000 | ¥13.288753 | ¥13288.75 |
| 2500 | ¥13.098913 | ¥32747.28 |
| 5000 | ¥12.149716 | ¥60748.58 |
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 800 V
漏极电流 4.3 A
漏源电阻 1.1 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 16 nC
耗散功率 69 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 20 ns
上升时间 7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 26 ns
典型接通延迟时间 12 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 SIHP4N80E-BE3
单位重量 2 g
购物车
0SIHP4N80E-GE3
型号:SIHP4N80E-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥28.050884 |
| 10+: | ¥25.160793 |
| 25+: | ¥23.732749 |
| 100+: | ¥18.509334 |
| 250+: | ¥18.034736 |
| 500+: | ¥15.661744 |
| 1000+: | ¥13.288753 |
| 2500+: | ¥13.098913 |
| 5000+: | ¥12.149716 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥28.05