货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥24.464927 | ¥24.46 |
10 | ¥21.944298 | ¥219.44 |
25 | ¥20.698811 | ¥517.47 |
100 | ¥16.143145 | ¥1614.31 |
250 | ¥15.729218 | ¥3932.30 |
500 | ¥13.659584 | ¥6829.79 |
1000 | ¥11.58995 | ¥11589.95 |
2500 | ¥11.424379 | ¥28560.95 |
5000 | ¥10.596526 | ¥52982.63 |
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 800 V
漏极电流 4.3 A
漏源电阻 1.1 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 16 nC
耗散功率 69 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 20 ns
上升时间 7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 26 ns
典型接通延迟时间 12 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 SIHP4N80E-BE3
单位重量 2 g
购物车
0SIHP4N80E-GE3
型号:SIHP4N80E-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥24.464927 |
10+: | ¥21.944298 |
25+: | ¥20.698811 |
100+: | ¥16.143145 |
250+: | ¥15.729218 |
500+: | ¥13.659584 |
1000+: | ¥11.58995 |
2500+: | ¥11.424379 |
5000+: | ¥10.596526 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥24.46