货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥8.9713 | ¥8.97 |
10 | ¥7.733008 | ¥77.33 |
100 | ¥5.354982 | ¥535.50 |
500 | ¥4.474531 | ¥2237.27 |
1000 | ¥3.808128 | ¥3808.13 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 4.7 A
漏源电阻 39 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 19 nC
耗散功率 1.25 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 48 ns
正向跨导(Min) 16 S
上升时间 43 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 71 ns
典型接通延迟时间 25 ns
高度 1.45 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI2323DS-T1-BE3 SI2323DS-E3
单位重量 8 mg
购物车
0SI2323DS-T1-E3
型号:SI2323DS-T1-E3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥8.9713 |
10+: | ¥7.733008 |
100+: | ¥5.354982 |
500+: | ¥4.474531 |
1000+: | ¥3.808128 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥8.97