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数量 | 价格 | 总计 |
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1+ : 需询价 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 1.5 kV
漏极电流 2.5 A
漏源电阻 10.5 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 -
栅极电荷 34 nC
耗散功率 32 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 44 ns
上升时间 20 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 148 ns
典型接通延迟时间 15 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0NDFP03N150CG
型号:NDFP03N150CG
品牌:ON
供货:锐单
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