
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥5.429119 | ¥5.43 |
| 10 | ¥3.771809 | ¥37.72 |
| 100 | ¥1.841616 | ¥184.16 |
| 500 | ¥1.535871 | ¥767.94 |
| 1000 | ¥1.067109 | ¥1067.11 |
| 2000 | ¥0.924808 | ¥1849.62 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 100 mA
漏源电阻 3.8 Ohms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 -
耗散功率 100 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 137 ns
正向跨导(Min) 120 mS
上升时间 62 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 325 ns
典型接通延迟时间 46 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RV1C001ZP
单位重量 12.325 mg
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0RV1C001ZPT2L
型号:RV1C001ZPT2L
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥5.429119 |
| 10+: | ¥3.771809 |
| 100+: | ¥1.841616 |
| 500+: | ¥1.535871 |
| 1000+: | ¥1.067109 |
| 2000+: | ¥0.924808 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥5.43