货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥17.843587 | ¥17.84 |
10 | ¥15.915522 | ¥159.16 |
100 | ¥12.406684 | ¥1240.67 |
500 | ¥10.249405 | ¥5124.70 |
1000 | ¥8.091649 | ¥8091.65 |
2000 | ¥7.552148 | ¥15104.30 |
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSVI
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 60 A
漏源电阻 1.7 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 182 nC
耗散功率 78 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 512 ns
上升时间 14 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 1620 ns
典型接通延迟时间 27 ns
高度 0.95 mm
长度 5 mm
宽度 5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 83 mg
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0TPH1R712MD,L1Q
型号:TPH1R712MD,L1Q
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
1+: | ¥17.843587 |
10+: | ¥15.915522 |
100+: | ¥12.406684 |
500+: | ¥10.249405 |
1000+: | ¥8.091649 |
2000+: | ¥7.552148 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥17.84