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起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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3000 | ¥1.346819 | ¥4040.46 |
6000 | ¥1.278297 | ¥7669.78 |
9000 | ¥1.187031 | ¥10683.28 |
30000 | ¥1.159623 | ¥34788.69 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 130 V
漏极电流 1 A
漏源电阻 750 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 5.6 nC
耗散功率 1.26 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 1.7 ns
上升时间 1.7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 6.6 ns
典型接通延迟时间 2.3 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0DMN13H750S-7
型号:DMN13H750S-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥1.346819 |
6000+: | ¥1.278297 |
9000+: | ¥1.187031 |
30000+: | ¥1.159623 |
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