货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥6.943084 | ¥6.94 |
10 | ¥5.901622 | ¥59.02 |
100 | ¥4.102619 | ¥410.26 |
500 | ¥3.202994 | ¥1601.50 |
1000 | ¥2.603408 | ¥2603.41 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 130 V
漏极电流 1 A
漏源电阻 750 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 5.6 nC
耗散功率 1.26 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 1.7 ns
上升时间 1.7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 6.6 ns
典型接通延迟时间 2.3 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0DMN13H750S-7
型号:DMN13H750S-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥6.943084 |
10+: | ¥5.901622 |
100+: | ¥4.102619 |
500+: | ¥3.202994 |
1000+: | ¥2.603408 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥6.94