DMT10H010LSS-13
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- 制造商编号：
- DMT10H010LSS-13
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 100V SO-8
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：2500
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2500 | ￥3.423145 | ￥8557.86 |
| 5000 | ￥3.260144 | ￥16300.72 |
| 12500 | ￥3.109694 | ￥38871.18 |
规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 29.5 A
漏源电阻 14.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.4 V
栅极电荷 53.7 nC
耗散功率 1.9 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 22 ns
上升时间 14.1 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 42.9 ns
典型接通延迟时间 11.6 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 750 mg
DMT10H010LSS-13 同类别型号
注
DMT10H010LSS-13品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、DMT10H010LSS-13
数据手册PDF
。
DMT10H010LSS-13
型号：DMT10H010LSS-13
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 2500+： | ￥3.423145 |
| 5000+： | ￥3.260144 |
| 12500+： | ￥3.109694 |
货期：1-2天
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单价：￥0.00总价：￥0.00