SI8851EDB-T2-E1
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- 制造商编号：
- SI8851EDB-T2-E1
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET P-CH 20V 7.7A MICRO FOOT
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥3.247781 | ￥9743.34 |
| 6000 | ￥3.076823 | ￥18460.94 |
| 9000 | ￥2.849021 | ￥25641.19 |
| 30000 | ￥2.820742 | ￥84622.26 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 16.7 A
漏源电阻 6 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 180 nC
耗散功率 3.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 35 ns
正向跨导（Min） 50 S
上升时间 40 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 115 ns
典型接通延迟时间 35 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
SI8851EDB-T2-E1 同类别型号
注
SI8851EDB-T2-E1品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购SI8851EDB-T2-E1、查询SI8851EDB-T2-E1代理商；
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替代型号
、SI8851EDB-T2-E1
数据手册PDF。
SI8851EDB-T2-E1
型号：SI8851EDB-T2-E1
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥3.247781 |
| 6000+： | ￥3.076823 |
| 9000+： | ￥2.849021 |
| 30000+： | ￥2.820742 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00