货期: 8周-10周
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥2.832593 | ¥8497.78 |
6000 | ¥2.683489 | ¥16100.93 |
9000 | ¥2.484809 | ¥22363.28 |
30000 | ¥2.460145 | ¥73804.35 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 16.7 A
漏源电阻 6 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 180 nC
耗散功率 3.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 35 ns
正向跨导(Min) 50 S
上升时间 40 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 115 ns
典型接通延迟时间 35 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
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0SI8851EDB-T2-E1
型号:SI8851EDB-T2-E1
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥2.832593 |
6000+: | ¥2.683489 |
9000+: | ¥2.484809 |
30000+: | ¥2.460145 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00