货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥17.686901 | ¥17.69 |
10 | ¥14.448455 | ¥144.48 |
100 | ¥11.236165 | ¥1123.62 |
500 | ¥9.523525 | ¥4761.76 |
1000 | ¥7.757948 | ¥7757.95 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 29.5 A
漏源电阻 14.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.4 V
栅极电荷 53.7 nC
耗散功率 1.9 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 22 ns
上升时间 14.1 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 42.9 ns
典型接通延迟时间 11.6 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 750 mg
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0DMT10H010LSS-13
型号:DMT10H010LSS-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥17.686901 |
10+: | ¥14.448455 |
100+: | ¥11.236165 |
500+: | ¥9.523525 |
1000+: | ¥7.757948 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥17.69