
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥20.279366 | ¥20.28 |
| 10 | ¥16.566243 | ¥165.66 |
| 100 | ¥12.883111 | ¥1288.31 |
| 500 | ¥10.91944 | ¥5459.72 |
| 1000 | ¥8.895073 | ¥8895.07 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 29.5 A
漏源电阻 14.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.4 V
栅极电荷 53.7 nC
耗散功率 1.9 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 22 ns
上升时间 14.1 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 42.9 ns
典型接通延迟时间 11.6 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 750 mg
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0DMT10H010LSS-13
型号:DMT10H010LSS-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥20.279366 |
| 10+: | ¥16.566243 |
| 100+: | ¥12.883111 |
| 500+: | ¥10.91944 |
| 1000+: | ¥8.895073 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥20.28