货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥5.007846 | ¥15023.54 |
6000 | ¥4.644959 | ¥27869.75 |
15000 | ¥4.463551 | ¥66953.26 |
30000 | ¥4.354649 | ¥130639.47 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 65.8 A
漏源电阻 8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 26.5 nC, 34.5 nC
耗散功率 83.3 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6 ns, 7 ns
正向跨导(Min) 72 S
上升时间 7 ns, 8 ns
晶体管类型 N - Channel
典型关闭延迟时间 22 ns, 25 ns
典型接通延迟时间 15 ns, 18 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 506.600 mg
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0SIR106ADP-T1-RE3
型号:SIR106ADP-T1-RE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥5.007846 |
6000+: | ¥4.644959 |
15000+: | ¥4.463551 |
30000+: | ¥4.354649 |
货期:1-2天
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