货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥7.473857 | ¥7.47 |
10 | ¥6.464886 | ¥64.65 |
100 | ¥4.473103 | ¥447.31 |
500 | ¥3.737177 | ¥1868.59 |
1000 | ¥3.1805 | ¥3180.50 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 16.7 A
漏源电阻 6 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 180 nC
耗散功率 3.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 35 ns
正向跨导(Min) 50 S
上升时间 40 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 115 ns
典型接通延迟时间 35 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
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0SI8851EDB-T2-E1
型号:SI8851EDB-T2-E1
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥7.473857 |
10+: | ¥6.464886 |
100+: | ¥4.473103 |
500+: | ¥3.737177 |
1000+: | ¥3.1805 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥7.47