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制造商 Toshiba
商标 Toshiba
晶体管类型 Bipolar
技术 Si
晶体管极性 NPN
工作频率 7 GHz
直流集电极 100
击穿电压(集电极-发射极) 12 V
发射极 - 基极电压 1.5 V
集电极连续电流 80 mA
配置 Single
最大直流电集电极电流 80 mA
输出功率 1.8 W
耗散功率 400 mW
产品种类 射频(RF)双极晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 RF Bipolar Transistors
单位重量 50 mg
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0MT3S20P(TE12L,F)
型号:MT3S20P(TE12L,F)
品牌:Toshiba
供货:锐单
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