货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥15.263381 | ¥15.26 |
10 | ¥13.737042 | ¥137.37 |
100 | ¥11.041684 | ¥1104.17 |
500 | ¥9.071935 | ¥4535.97 |
1000 | ¥7.775884 | ¥7775.88 |
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 12 A
漏源电阻 380 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 29 nC
耗散功率 147 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 19 ns
上升时间 19 ns
典型关闭延迟时间 35 ns
典型接通延迟时间 14 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 4 g
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0SIHB12N60E-GE3
型号:SIHB12N60E-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥15.263381 |
10+: | ¥13.737042 |
100+: | ¥11.041684 |
500+: | ¥9.071935 |
1000+: | ¥7.775884 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥15.26