货期:国内(1~3工作日)
起订量:800
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
800 | ¥14.34755 | ¥11478.04 |
1600 | ¥12.285098 | ¥19656.16 |
2400 | ¥11.567721 | ¥27762.53 |
5600 | ¥11.098079 | ¥62149.24 |
制造商 onsemi
商标名 UniFET
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 500 V
漏极电流 20 A
漏源电阻 260 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 50 nC
耗散功率 250 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 60 ns
正向跨导(Min) 25 S
上升时间 120 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 100 ns
典型接通延迟时间 45 ns
高度 4.83 mm
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 4 g
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0FDB20N50F
型号:FDB20N50F
品牌:ON
供货:锐单
单价:
800+: | ¥14.34755 |
1600+: | ¥12.285098 |
2400+: | ¥11.567721 |
5600+: | ¥11.098079 |
货期:1-2天
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