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IPB027N10N3GATMA1

INFINEON(英飞凌)
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制造商编号:
IPB027N10N3GATMA1
制造商:
INFINEON(英飞凌)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3
渠道:
国内现货
digikey

库存 :有货

货期:国内(1~3工作日)

起订量:1000

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1000 25.22946 25229.46
2000 23.968063 47936.13

规格参数

关键信息

制造商 Infineon

商标名 OptiMOS

商标 Infineon Technologies

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 100 V

漏极电流 120 A

漏源电阻 2.7 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 2 V

栅极电荷 155 nC

耗散功率 300 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 28 ns

正向跨导(Min) 94 S

上升时间 58 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 84 ns

典型接通延迟时间 34 ns

外形参数

高度 4.4 mm

长度 10 mm

宽度 9.25 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 IPB027N10N3 G SP000506508

单位重量 324 mg

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IPB027N10N3GATMA1

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型号:IPB027N10N3GATMA1

品牌:INFINEON

供货:锐单

库存:有货 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1000+: ¥25.22946
2000+: ¥23.968063

货期:1-2天

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