货期:国内(1~3工作日)
起订量:1000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1000 | ¥25.22946 | ¥25229.46 |
2000 | ¥23.968063 | ¥47936.13 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 120 A
漏源电阻 2.7 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 155 nC
耗散功率 300 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 28 ns
正向跨导(Min) 94 S
上升时间 58 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 84 ns
典型接通延迟时间 34 ns
高度 4.4 mm
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPB027N10N3 G SP000506508
单位重量 324 mg
购物车
0IPB027N10N3GATMA1
型号:IPB027N10N3GATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1000+: | ¥25.22946 |
2000+: | ¥23.968063 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00