
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥28.900912 | ¥28.90 |
| 10 | ¥25.911651 | ¥259.12 |
| 25 | ¥24.441105 | ¥611.03 |
| 100 | ¥19.061852 | ¥1906.19 |
| 250 | ¥18.573085 | ¥4643.27 |
| 500 | ¥16.129258 | ¥8064.63 |
| 1000 | ¥13.685431 | ¥13685.43 |
| 2500 | ¥13.489926 | ¥33724.82 |
| 5000 | ¥12.512395 | ¥62561.97 |
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 800 V
漏极电流 4.3 A
漏源电阻 1.1 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 16 nC
耗散功率 69 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 20 ns
正向跨导(Min) 1.5 S
上升时间 7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 26 ns
典型接通延迟时间 12 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
购物车
0SIHA4N80E-GE3
型号:SIHA4N80E-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥28.900912 |
| 10+: | ¥25.911651 |
| 25+: | ¥24.441105 |
| 100+: | ¥19.061852 |
| 250+: | ¥18.573085 |
| 500+: | ¥16.129258 |
| 1000+: | ¥13.685431 |
| 2500+: | ¥13.489926 |
| 5000+: | ¥12.512395 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥28.90