PMZB370UNE,315
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- PMZB370UNE,315
- 制造商：
- Nexperia(安世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 30V 0.9A DFN1006B-3
- 渠道：
- digikey
库存 ：5510
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥4.695289 | ￥4.70 |
| 10 | ￥3.459686 | ￥34.60 |
| 25 | ￥3.029698 | ￥75.74 |
| 100 | ￥1.643351 | ￥164.34 |
| 250 | ￥1.63495 | ￥408.74 |
| 500 | ￥1.340628 | ￥670.31 |
| 1000 | ￥0.99466 | ￥994.66 |
| 2500 | ￥0.873571 | ￥2183.93 |
| 5000 | ￥0.800052 | ￥4000.26 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
PMZB370UNE,315
制造商
Nexperia(安世)
商品描述
MOSFET N-CH 30V 0.9A DFN1006B-3
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
-
零件状态
Last Time Buy
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
900mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
490mOhm @ 500mA, 4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1.05V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
1.16nC @ 15V
Vgs（最大值）
±8V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
78pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
360mW (Ta), 2.7W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
DFN1006B-3
封装/外壳
3-XFDFN
PMZB370UNE,315 同类别型号
注
PMZB370UNE,315品牌厂家：Nexperia
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购PMZB370UNE,315、查询PMZB370UNE,315代理商；
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替代型号
、PMZB370UNE,315
数据手册PDF。
PMZB370UNE,315
型号：PMZB370UNE,315
品牌：Nexperia
供货：锐单
库存：5510 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥4.695289 |
| 10+： | ￥3.459686 |
| 25+： | ￥3.029698 |
| 100+： | ￥1.643351 |
| 250+： | ￥1.63495 |
| 500+： | ￥1.340628 |
| 1000+： | ￥0.99466 |
| 2500+： | ￥0.873571 |
| 5000+： | ￥0.800052 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥4.70