货期:国内(1~3工作日)
起订量:2500
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
2500 | ¥4.578009 | ¥11445.02 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 45 V
漏极电流 20 A
漏源电阻 28 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 12 nC
耗散功率 20 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 20 ns
正向跨导(Min) 10 S
上升时间 20 ns
典型关闭延迟时间 50 ns
典型接通延迟时间 10 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RD3H200SN
单位重量 330 mg
购物车
0RD3H200SNTL1
型号:RD3H200SNTL1
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
2500+: | ¥4.578009 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00