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STB120N4F6

ST(意法半导体)
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制造商编号:
STB120N4F6
制造商:
ST(意法半导体)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
渠道:
digikey

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货期: 8周-10周

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整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 29.242013 29.24
10 26.283941 262.84
100 21.128766 2112.88
500 17.358917 8679.46

规格参数

属性
参数值

制造商型号

STB120N4F6

制造商

ST(意法半导体)

商品描述

MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK

包装

Digi-Reel® Alternate Packaging

系列

Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI

零件状态

Active

FET 类型

N-Channel

技术

MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss)

40V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)

80A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)

4mOhm @ 40A, 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)

65nC @ 10V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)

3850pF @ 25V

FET 功能

-

功率耗散(最大值)

110W (Tc)

工作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安装类型

Surface Mount

供应商器件封装

D2PAK

封装/外壳

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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型号:STB120N4F6

品牌:ST

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