货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥10.631046 | ¥10.63 |
10 | ¥9.541853 | ¥95.42 |
100 | ¥7.670006 | ¥767.00 |
500 | ¥6.301407 | ¥3150.70 |
制造商 onsemi
商标名 QFET
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 800 V
漏极电流 1.5 A
漏源电阻 6.3 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 15 nC
耗散功率 35 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 28 ns
正向跨导(Min) 2.2 S
上升时间 30 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 25 ns
典型接通延迟时间 12 ns
高度 16.07 mm
长度 10.36 mm
宽度 4.9 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0FQPF2N80
型号:FQPF2N80
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥10.631046 |
10+: | ¥9.541853 |
100+: | ¥7.670006 |
500+: | ¥6.301407 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥10.63