NDD05N50Z-1G
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- 制造商编号：
- NDD05N50Z-1G
- 制造商：
- ROCHESTER(罗彻斯特电子)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- N-CHANNEL POWER MOSFET
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：34
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 34 | ￥5.629369 | ￥191.40 |
| 50 | ￥4.128237 | ￥206.41 |
| 100 | ￥3.752913 | ￥375.29 |
| 1000 | ￥3.752913 | ￥3752.91 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
NDD05N50Z-1G
制造商
ROCHESTER(罗彻斯特电子)
商品描述
N-CHANNEL POWER MOSFET
包装
Tube
系列
-
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
500V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
4.7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
1.5Ohm @ 2.2A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
18.5nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
530pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
83W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
I-PAK
封装/外壳
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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注
NDD05N50Z-1G品牌厂家：ROCHESTER
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、NDD05N50Z-1G
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NDD05N50Z-1G
型号：NDD05N50Z-1G
品牌：ROCHESTER
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 34+： | ￥5.629369 |
| 50+： | ￥4.128237 |
| 100+： | ￥3.752913 |
| 1000+： | ￥3.752913 |
货期：7-10天
+ -
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