货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥1.370117 | ¥4110.35 |
6000 | ¥1.281723 | ¥7690.34 |
15000 | ¥1.193328 | ¥17899.92 |
30000 | ¥1.13148 | ¥33944.40 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 14.4 A
漏源电阻 59 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.8 V
栅极电荷 5.6 nC
耗散功率 20.2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 2 ns
正向跨导(Min) 19 S
上升时间 3 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 7 ns
典型接通延迟时间 5 ns
高度 0.75 mm
长度 2 mm
宽度 2 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 6 mg
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0CSD19538Q2
型号:CSD19538Q2
品牌:TI
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥1.370117 |
6000+: | ¥1.281723 |
15000+: | ¥1.193328 |
30000+: | ¥1.13148 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00