DMG7702SFG-7
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- 制造商编号：
- DMG7702SFG-7
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333-8
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥7.413614 | ￥7.41 |
| 10 | ￥6.486912 | ￥64.87 |
| 25 | ￥6.089048 | ￥152.23 |
| 100 | ￥4.41975 | ￥441.97 |
| 250 | ￥4.262334 | ￥1065.58 |
| 500 | ￥3.692722 | ￥1846.36 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
DMG7702SFG-7
制造商
DIODES(美台)
商品描述
MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333-8
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
-
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
12A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
10mOhm @ 13.5A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
31.6nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
4310pF @ 15V
FET 功能
Schottky Diode (Body)
功率耗散（最大值）
890mW (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
PowerDI3333-8
封装/外壳
8-PowerVDFN
DMG7702SFG-7 同类别型号
注
DMG7702SFG-7品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、DMG7702SFG-7
数据手册PDF
。
DMG7702SFG-7
型号：DMG7702SFG-7
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥7.413614 |
| 10+： | ￥6.486912 |
| 25+： | ￥6.089048 |
| 100+： | ￥4.41975 |
| 250+： | ￥4.262334 |
| 500+： | ￥3.692722 |
货期：7-10天
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单价：￥0.00总价：￥7.41