CSD19538Q2
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- 制造商编号：
- CSD19538Q2
- 制造商：
- TI(德州仪器)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET NCH 100V 14.4A SON
- 渠道：
- digikey
库存 ：10335
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥6.724651 | ￥6.72 |
| 10 | ￥5.727961 | ￥57.28 |
| 100 | ￥4.277359 | ￥427.74 |
| 500 | ￥3.360404 | ￥1680.20 |
| 1000 | ￥2.596676 | ￥2596.68 |
规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 14.4 A
漏源电阻 59 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.8 V
栅极电荷 5.6 nC
耗散功率 20.2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 2 ns
正向跨导（Min） 19 S
上升时间 3 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 7 ns
典型接通延迟时间 5 ns
外形参数
高度 0.75 mm
长度 2 mm
宽度 2 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 6 mg
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注
CSD19538Q2品牌厂家：TI
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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、CSD19538Q2
数据手册PDF
。
CSD19538Q2
型号：CSD19538Q2
品牌：TI
供货：锐单
库存：10335 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥6.724651 |
| 10+： | ￥5.727961 |
| 100+： | ￥4.277359 |
| 500+： | ￥3.360404 |
| 1000+： | ￥2.596676 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥6.72