RD3S100CNTL1
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- RD3S100CNTL1
- 制造商：
- ROHM(罗姆)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- NCH 190V 10A POWER MOSFET
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：2500
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2500 | ￥10.898012 | ￥27245.03 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 190 V
漏极电流 10 A
漏源电阻 182 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 52 nC
耗散功率 85 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 75 ns
正向跨导（Min） 6 S
上升时间 20 ns
典型关闭延迟时间 140 ns
典型接通延迟时间 15 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
RD3S100CNTL1 同类别型号
注
RD3S100CNTL1品牌厂家：ROHM
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、RD3S100CNTL1
数据手册PDF。
RD3S100CNTL1
型号：RD3S100CNTL1
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 2500+： | ￥10.898012 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00