货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥22.982204 | ¥22.98 |
10 | ¥20.634559 | ¥206.35 |
25 | ¥19.463208 | ¥486.58 |
100 | ¥15.179375 | ¥1517.94 |
250 | ¥14.790161 | ¥3697.54 |
500 | ¥12.844087 | ¥6422.04 |
1000 | ¥10.898012 | ¥10898.01 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 190 V
漏极电流 10 A
漏源电阻 182 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 52 nC
耗散功率 85 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 75 ns
正向跨导(Min) 6 S
上升时间 20 ns
典型关闭延迟时间 140 ns
典型接通延迟时间 15 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
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0RD3S100CNTL1
型号:RD3S100CNTL1
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1+: | ¥22.982204 |
10+: | ¥20.634559 |
25+: | ¥19.463208 |
100+: | ¥15.179375 |
250+: | ¥14.790161 |
500+: | ¥12.844087 |
1000+: | ¥10.898012 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥22.98