货期:国内(1~3工作日)
起订量:4000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
4000 | ¥3.554889 | ¥14219.56 |
8000 | ¥3.385571 | ¥27084.57 |
12000 | ¥3.22931 | ¥38751.72 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 1.85 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.8 V
栅极电荷 77 nC
耗散功率 3.6 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 23 ns
正向跨导(Min) 218 S
上升时间 78 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 22 ns
典型接通延迟时间 21 ns
高度 0.83 mm
长度 6 mm
宽度 5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRFH5301TRPBF SP001556462
单位重量 122.136 mg
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0IRFH5301TRPBF
型号:IRFH5301TRPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
4000+: | ¥3.554889 |
8000+: | ¥3.385571 |
12000+: | ¥3.22931 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00