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数量 | 价格 | 总计 |
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1+ : 需询价 |
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 9.7 A
漏源电阻 17 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 900 mV
栅极电荷 81 nC
耗散功率 2.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 110 ns
正向跨导(Min) 22 S
上升时间 20 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 400 ns
典型接通延迟时间 7 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 279.143 mg
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0SI8481DB-T1-E1
型号:SI8481DB-T1-E1
品牌:SILICONIX
供货:锐单
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