货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥1.563277 | ¥4689.83 |
6000 | ¥1.462454 | ¥8774.72 |
15000 | ¥1.361562 | ¥20423.43 |
30000 | ¥1.290965 | ¥38728.95 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 22 A
漏源电阻 3.8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 45 nC
耗散功率 18 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
上升时间 42 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 55 ns
典型接通延迟时间 11 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RQ3E150BN
单位重量 248.147 mg
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0RQ3E150BNTB
型号:RQ3E150BNTB
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥1.563277 |
6000+: | ¥1.462454 |
15000+: | ¥1.361562 |
30000+: | ¥1.290965 |
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