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RQ3E150BNTB

ROHM(罗姆)
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制造商编号:
RQ3E150BNTB
制造商:
ROHM(罗姆)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 30V 15A HSMT8
渠道:
国内现货
digikey

库存 :有货

货期:国内(1~3工作日)

起订量:3000

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
3000 1.563277 4689.83
6000 1.462454 8774.72
15000 1.361562 20423.43
30000 1.290965 38728.95

规格参数

关键信息

制造商 ROHM Semiconductor

商标 ROHM Semiconductor

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 30 V

漏极电流 22 A

漏源电阻 3.8 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1 V

栅极电荷 45 nC

耗散功率 18 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 10 ns

上升时间 42 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 55 ns

典型接通延迟时间 11 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 RQ3E150BN

单位重量 248.147 mg

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RQ3E150BNTB

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型号:RQ3E150BNTB

品牌:ROHM

供货:锐单

库存:有货 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

3000+: ¥1.563277
6000+: ¥1.462454
15000+: ¥1.361562
30000+: ¥1.290965

货期:1-2天

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