TSM018NB03CR RLG
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- 制造商编号：
- TSM018NB03CR RLG
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- 30V, 194A, SINGLE N-CHANNEL POWE
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥18.781156 | ￥18.78 |
| 10 | ￥16.865972 | ￥168.66 |
| 25 | ￥15.909616 | ￥397.74 |
| 100 | ￥12.409154 | ￥1240.92 |
| 250 | ￥12.090617 | ￥3022.65 |
| 500 | ￥10.499654 | ￥5249.83 |
| 1000 | ￥8.908693 | ￥8908.69 |
规格参数
关键信息
制造商 Taiwan Semiconductor
商标 Taiwan Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 194 A
漏源电阻 1.8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 120 nC
耗散功率 136 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 45 ns
正向跨导（Min） 70 S
上升时间 50 ns
典型关闭延迟时间 80 ns
典型接通延迟时间 9 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 TSM018NB03CR
单位重量 372.608 mg
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注
TSM018NB03CR RLG品牌厂家：Taiwan Semiconductor
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、TSM018NB03CR RLG
数据手册PDF。
TSM018NB03CR RLG
型号：TSM018NB03CR RLG
品牌：Taiwan Semiconductor
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥18.781156 |
| 10+： | ￥16.865972 |
| 25+： | ￥15.909616 |
| 100+： | ￥12.409154 |
| 250+： | ￥12.090617 |
| 500+： | ￥10.499654 |
| 1000+： | ￥8.908693 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥18.78