货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥7.660735 | ¥7.66 |
10 | ¥6.534839 | ¥65.35 |
100 | ¥4.879656 | ¥487.97 |
500 | ¥3.834083 | ¥1917.04 |
1000 | ¥2.962848 | ¥2962.85 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 22 A
漏源电阻 3.8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 45 nC
耗散功率 18 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
上升时间 42 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 55 ns
典型接通延迟时间 11 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RQ3E150BN
单位重量 248.147 mg
购物车
0RQ3E150BNTB
型号:RQ3E150BNTB
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1+: | ¥7.660735 |
10+: | ¥6.534839 |
100+: | ¥4.879656 |
500+: | ¥3.834083 |
1000+: | ¥2.962848 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥7.66