货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥1.117212 | ¥3351.64 |
6000 | ¥1.060462 | ¥6362.77 |
9000 | ¥0.984674 | ¥8862.07 |
30000 | ¥0.961959 | ¥28858.77 |
75000 | ¥0.93744 | ¥70308.00 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 12 A
漏源电阻 11 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 83 nC
耗散功率 19 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 50 ns
正向跨导(Min) 30 S
上升时间 25 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 70 ns
典型接通延迟时间 25 ns
高度 0.75 mm
长度 2.05 mm
宽度 2.05 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 28 mg
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0SIA477EDJT-T1-GE3
型号:SIA477EDJT-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥1.117212 |
6000+: | ¥1.060462 |
9000+: | ¥0.984674 |
30000+: | ¥0.961959 |
75000+: | ¥0.93744 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00