货期:国内(1~3工作日)
起订量:800
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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800 | ¥14.357918 | ¥11486.33 |
1600 | ¥12.293958 | ¥19670.33 |
2400 | ¥11.576037 | ¥27782.49 |
5600 | ¥11.106061 | ¥62193.94 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 44 A
漏源电阻 54 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 60 nC
耗散功率 320 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 47 ns
上升时间 95 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 29 ns
典型接通延迟时间 16 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRFS38N20DTRLP SP001567672
单位重量 330 mg
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0IRFS38N20DTRLP
型号:IRFS38N20DTRLP
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
800+: | ¥14.357918 |
1600+: | ¥12.293958 |
2400+: | ¥11.576037 |
5600+: | ¥11.106061 |
货期:1-2天
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