
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥23.41355 | ¥23.41 |
| 10 | ¥21.016182 | ¥210.16 |
| 100 | ¥17.219603 | ¥1721.96 |
| 500 | ¥14.658899 | ¥7329.45 |
| 1000 | ¥12.362971 | ¥12362.97 |
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 11 A
漏源电阻 380 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 45 nC
耗散功率 125 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5 ns
正向跨导(Min) 8.3 S
上升时间 5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 44 ns
典型接通延迟时间 10 ns
高度 15.65 mm
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 CoolMOS Power Transistor
零件号别名 SPP11N60C3 SP000681040
单位重量 2 g
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0SPP11N60C3XKSA1
型号:SPP11N60C3XKSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥23.41355 |
| 10+: | ¥21.016182 |
| 100+: | ¥17.219603 |
| 500+: | ¥14.658899 |
| 1000+: | ¥12.362971 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥23.41