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STH170N8F7-2

ST(意法半导体)
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制造商编号:
STH170N8F7-2
制造商:
ST(意法半导体)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 80V 120A
渠道:
国内现货
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数量 价格 总计
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规格参数

属性
参数值

制造商型号

STH170N8F7-2

制造商

ST(意法半导体)

商品描述

MOSFET N-CH 80V 120A

包装

Tape & Reel (TR) Alternate Packaging

系列

STripFET™ F7

零件状态

Active

FET 类型

N-Channel

技术

MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss)

80V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)

120A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)

3.7mOhm @ 60A, 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)

4.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)

120nC @ 10V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)

8710pF @ 40V

FET 功能

-

功率耗散(最大值)

250W (Tc)

工作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安装类型

Surface Mount

供应商器件封装

H2Pak-2

封装/外壳

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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品牌:ST

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