NTD5865N-1G
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- 制造商编号：
- NTD5865N-1G
- 制造商：
- ROCHESTER(罗彻斯特电子)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- N-CHANNEL POWER MOSFET
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥2.67491 | ￥2.67 |
| 25 | ￥2.427233 | ￥60.68 |
| 50 | ￥2.344674 | ￥117.23 |
| 100 | ￥2.245603 | ￥224.56 |
| 250 | ￥2.163044 | ￥540.76 |
| 500 | ￥2.063973 | ￥1031.99 |
| 1000 | ￥1.948392 | ￥1948.39 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
NTD5865N-1G
制造商
ROCHESTER(罗彻斯特电子)
商品描述
N-CHANNEL POWER MOSFET
包装
Tube
系列
-
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
43A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
18mOhm @ 20A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
23nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1.261pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
71W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
DPAK
封装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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注
NTD5865N-1G品牌厂家：ROCHESTER
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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、NTD5865N-1G
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NTD5865N-1G
型号：NTD5865N-1G
品牌：ROCHESTER
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥2.67491 |
| 25+： | ￥2.427233 |
| 50+： | ￥2.344674 |
| 100+： | ￥2.245603 |
| 250+： | ￥2.163044 |
| 500+： | ￥2.063973 |
| 1000+： | ￥1.948392 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥2.67