FQD3N50CTM
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- 制造商编号：
- FQD3N50CTM
- 制造商：
- ROCHESTER(罗彻斯特电子)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- N-CHANNEL POWER MOSFET
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：24
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 24 | ￥8.18803 | ￥196.51 |
| 50 | ￥7.164465 | ￥358.22 |
| 100 | ￥7.028077 | ￥702.81 |
| 200 | ￥6.891524 | ￥1378.30 |
| 300 | ￥6.877986 | ￥2063.40 |
| 500 | ￥6.837035 | ￥3418.52 |
| 1000 | ￥6.823331 | ￥6823.33 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
FQD3N50CTM
制造商
ROCHESTER(罗彻斯特电子)
商品描述
N-CHANNEL POWER MOSFET
包装
Bulk
系列
QFET®
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
500V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
2.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
2.5Ohm @ 1.25A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
13nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
365pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
35W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
D-Pak
封装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
FQD3N50CTM 同类别型号
注
FQD3N50CTM品牌厂家：ROCHESTER
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、FQD3N50CTM
数据手册PDF。
FQD3N50CTM
型号：FQD3N50CTM
品牌：ROCHESTER
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 24+： | ￥8.18803 |
| 50+： | ￥7.164465 |
| 100+： | ￥7.028077 |
| 200+： | ￥6.891524 |
| 300+： | ￥6.877986 |
| 500+： | ￥6.837035 |
| 1000+： | ￥6.823331 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00