货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥39.064044 | ¥39.06 |
10 | ¥35.133965 | ¥351.34 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 200 A
漏源电阻 4 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.8 V
栅极电荷 44 nC
耗散功率 250 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 2 ns
正向跨导(Min) 198 S
湿度敏感性 Yes
上升时间 4 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 2 ns
典型接通延迟时间 6 ns
开发套件 -
高度 19.7 mm
长度 9.25 mm
宽度 10.26 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0CSD18542KTTT
型号:CSD18542KTTT
品牌:TI
供货:锐单
单价:
1+: | ¥39.064044 |
10+: | ¥35.133965 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥39.06