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数量 | 价格 | 总计 |
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制造商 Taiwan Semiconductor
商标 Taiwan Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 194 A
漏源电阻 1.8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 120 nC
耗散功率 136 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 45 ns
正向跨导(Min) 70 S
上升时间 50 ns
典型关闭延迟时间 80 ns
典型接通延迟时间 9 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 TSM018NB03CR
单位重量 372.608 mg
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0TSM018NB03CR RLG
型号:TSM018NB03CR RLG
品牌:Taiwan Semiconductor
供货:锐单
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