STH170N8F7-2
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- 制造商编号：
- STH170N8F7-2
- 制造商：
- ST(意法半导体)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 80V 120A H2PAK
- 渠道：
- digikey
库存 ：1254
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥46.812404 | ￥46.81 |
| 10 | ￥35.109302 | ￥351.09 |
| 25 | ￥32.162875 | ￥804.07 |
| 100 | ￥28.925782 | ￥2892.58 |
| 250 | ￥27.383115 | ￥6845.78 |
| 500 | ￥26.452987 | ￥13226.49 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
STH170N8F7-2
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
MOSFET N-CH 80V 120A H2PAK
包装
Digi-Reel®
Alternate Packaging
系列
STripFET™ F7
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
80V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
3.7mOhm @ 60A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
120nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
8710pF @ 40V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
250W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
H2Pak-2
封装/外壳
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
STH170N8F7-2 同类别型号
注
STH170N8F7-2品牌厂家：ST
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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数据手册PDF。
STH170N8F7-2
型号：STH170N8F7-2
品牌：ST
供货：锐单
库存：1254 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥46.812404 |
| 10+： | ￥35.109302 |
| 25+： | ￥32.162875 |
| 100+： | ￥28.925782 |
| 250+： | ￥27.383115 |
| 500+： | ￥26.452987 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥46.81