SIA477EDJT-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SIA477EDJT-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6
- 渠道：
- digikey
库存 ：10851
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥6.572091 | ￥6.57 |
| 10 | ￥5.614854 | ￥56.15 |
| 100 | ￥3.901823 | ￥390.18 |
| 500 | ￥3.046594 | ￥1523.30 |
| 1000 | ￥2.47625 | ￥2476.25 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 12 A
漏源电阻 11 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 83 nC
耗散功率 19 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 50 ns
正向跨导（Min） 30 S
上升时间 25 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 70 ns
典型接通延迟时间 25 ns
外形参数
高度 0.75 mm
长度 2.05 mm
宽度 2.05 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 28 mg
SIA477EDJT-T1-GE3 同类别型号
注
SIA477EDJT-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SIA477EDJT-T1-GE3
数据手册PDF。
SIA477EDJT-T1-GE3
型号：SIA477EDJT-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：10851 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥6.572091 |
| 10+： | ￥5.614854 |
| 100+： | ￥3.901823 |
| 500+： | ￥3.046594 |
| 1000+： | ￥2.47625 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥6.57