DMN24H11DSQ-13
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- 制造商编号：
- DMN24H11DSQ-13
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET BVDSS: 101V-250V SOT23 T&
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：10000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 10000 | ￥2.343947 | ￥23439.47 |
规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 240 V
漏极电流 270 mA
漏源电阻 11 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 3.7 nC
耗散功率 1.2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 102.3 ns
上升时间 4.7 ns
典型关闭延迟时间 17.5 ns
典型接通延迟时间 4.8 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
DMN24H11DSQ-13 同类别型号
注
DMN24H11DSQ-13品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购DMN24H11DSQ-13、查询DMN24H11DSQ-13代理商；
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替代型号
、DMN24H11DSQ-13
数据手册PDF。
DMN24H11DSQ-13
型号：DMN24H11DSQ-13
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 10000+： | ￥2.343947 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00