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起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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3000 | ¥1.685648 | ¥5056.94 |
6000 | ¥1.596945 | ¥9581.67 |
9000 | ¥1.478674 | ¥13308.07 |
30000 | ¥1.463999 | ¥43919.97 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 3.5 A
漏源电阻 140 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 700 mV
栅极电荷 6.7 nC
耗散功率 1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9.8 ns
上升时间 4.9 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 17.3 ns
典型接通延迟时间 3.6 ns
高度 1.02 mm
长度 3.04 mm
宽度 1.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0ZXMN3B14FTA
型号:ZXMN3B14FTA
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥1.685648 |
6000+: | ¥1.596945 |
9000+: | ¥1.478674 |
30000+: | ¥1.463999 |
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