货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥35.513048 | ¥35.51 |
10 | ¥29.830961 | ¥298.31 |
100 | ¥24.130182 | ¥2413.02 |
500 | ¥21.449383 | ¥10724.69 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 13 A
漏源电阻 190 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 18 nC
耗散功率 76 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6.5 ns
上升时间 5 ns
典型关闭延迟时间 52 ns
典型接通延迟时间 16 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPDD60R190G7 SP001632844
单位重量 761.550 mg
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0IPDD60R190G7XTMA1
型号:IPDD60R190G7XTMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥35.513048 |
10+: | ¥29.830961 |
100+: | ¥24.130182 |
500+: | ¥21.449383 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥35.51