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数量 | 价格 | 总计 |
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1+ : 需询价 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 5.6 A
漏源电阻 75 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 33 nC
耗散功率 2.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 84 ns, 97 ns
正向跨导(Min) 7.2 S
上升时间 135 ns, 40 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 54 ns, 110 ns
典型接通延迟时间 25 ns, 16 ns
高度 1.5 mm
长度 5 mm
宽度 4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 74 mg
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0MMSF3P02HDR2G
型号:MMSF3P02HDR2G
品牌:ON
供货:锐单
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