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起订量:2500
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
2500 | ¥4.918078 | ¥12295.20 |
5000 | ¥4.733214 | ¥23666.07 |
12500 | ¥4.576492 | ¥57206.15 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 17 A
漏源电阻 22.8 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 16 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 7 nC
耗散功率 18 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 24 ns
正向跨导(Min) 20 S
上升时间 42 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 11 ns
典型接通延迟时间 8 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
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0NVD5C688NLT4G
型号:NVD5C688NLT4G
品牌:ON
供货:锐单
单价:
2500+: | ¥4.918078 |
5000+: | ¥4.733214 |
12500+: | ¥4.576492 |
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