货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥18.827472 | ¥18.83 |
10 | ¥15.660467 | ¥156.60 |
100 | ¥12.459797 | ¥1245.98 |
500 | ¥10.543135 | ¥5271.57 |
1000 | ¥8.945668 | ¥8945.67 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 17 A
漏源电阻 22.8 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 16 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 7 nC
耗散功率 18 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 24 ns
正向跨导(Min) 20 S
上升时间 42 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 11 ns
典型接通延迟时间 8 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
购物车
0NVD5C688NLT4G
型号:NVD5C688NLT4G
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥18.827472 |
10+: | ¥15.660467 |
100+: | ¥12.459797 |
500+: | ¥10.543135 |
1000+: | ¥8.945668 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥18.83