
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥8.837172 | ¥8.84 |
| 10 | ¥7.611371 | ¥76.11 |
| 100 | ¥5.273797 | ¥527.38 |
| 500 | ¥4.406043 | ¥2203.02 |
| 1000 | ¥3.749812 | ¥3749.81 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 3.5 A
漏源电阻 140 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 700 mV
栅极电荷 6.7 nC
耗散功率 1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9.8 ns
上升时间 4.9 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 17.3 ns
典型接通延迟时间 3.6 ns
高度 1.02 mm
长度 3.04 mm
宽度 1.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0ZXMN3B14FTA
型号:ZXMN3B14FTA
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥8.837172 |
| 10+: | ¥7.611371 |
| 100+: | ¥5.273797 |
| 500+: | ¥4.406043 |
| 1000+: | ¥3.749812 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥8.84